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CMP抛光液成分主要包含了什么?
2025-09-10751

CMP抛光化学机械抛光)在半导体制造中的应用最为广泛,主要用于平坦化晶圆表面。

在半导体制造中,CMP技术可以用来去除晶圆表面的氧化层、硅化物、金属残留物等杂质,以保证晶体等器件的性能和稳定性。
CMP技术是现代半导体制造中非常重要的一项技术。

CMP过程中,需要使用一种特殊的液体研磨剂,即CMP抛光液。

常见的抛光液种类有钨CMP抛光液、介质CMP抛光液、铜CMP抛光液、铝CMP抛光液、硅片抛光液、碳化硅晶圆抛光液、硬盘磁头CMP抛光液等。

CMP抛光液的成分是多种化学物质的混合物,其中主要包括磨料、缓冲液、抛光剂和添加剂等。

其中,磨料主要起到去除硅片表面氧化物和金属残留物的作用,缓冲液主要起到调节pH值和维持液体稳定性的作用,抛光剂主要起到润滑和减少表面摩擦的作用,添加剂主要改善cmp抛光液的分散、化学反应性能。

纳米级氧化锆抛光液.jpg

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